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快科技8月18日讯息，半导体公司NEO Semiconductor近日布告推出3D X-AI芯轻捷期，被谋划用于取代高带宽内存(HBM)中的现存DRAM芯片【DVDES-144】電撃帰国！！L.A仕込みのレゲエダンサーSAKURA 最強の美尻と腰づかいで生中出し5FUCK！，以晋升东说念主工智能解决性能并显赫降油滑耗。

3D X-AI芯片集成了8000个神经元电路，这些电旅途直在3D DRAM中推论AI解决任务，终澄莹AI性能加快达到100倍。

与此同期，由于大幅减少了数据传输需求，该芯片的功耗裁减了99%，灵验裁减了数据总线的功耗和发烧问题。

NEO Semiconductor的这一翻新还带来了8倍的内存密度，其3D X-AI芯片包含300个DRAM层，扶助启动更大畛域的AI模子。

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该公司此前已布告内行首款3D DRAM时期，而3D X-AI芯片则是在此基础上的进一步翻新，通过相通HBM的堆叠封装，终澄莹每芯片高达10 TB/s的AI解决蒙胧量。

NEO Semiconductor首创东说念主兼首席推论官Andy Hsu指出，现时AI芯片架构中数据存储与解决的辩认导致了性能瓶颈和高功耗问题。

3D X-AI芯片通过在每个HBM芯片中推论AI解决，显赫减少了HBM和GPU之间传输的数据量，从而提高性能并裁减功耗。

行业分析师Jay Kramer以为，3D X-AI时期的期骗将加快新兴AI用例的建树，并鼓动新用例的创造，为AI期骗翻新开启新时间。

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